f7是N沟道增强型场效应晶体管。

增强型场效应晶体管是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。

相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。

一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件。而结型场效应晶体管（JFET）通常只有耗尽型场效应晶体管。

增强的结型场效应晶体管（E-JFET）有长沟道和短沟道两种不同的结构。长沟道E-JFET与长沟道耗尽的结型场效应晶体管（D-JFET）的不同点就在于：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 (必须小于0.5V) 时才产生沟道而导电；

输出伏安特性仍然为饱和特性。长沟道E-JFET通常不采用，但在高速和低功耗场合也有一定的用处。

短沟道E-JFET 实际上也就是静电感应晶体管（SIT），它的原始沟道既窄又短，在栅电压为0时沟道即被耗尽，并且再在栅极上加有一定的反向偏压，使沟道形成了电子的势垒，通过改变Vds和Vgs可以控制此势垒的高低，从而可控制输出电流。